Нойс Роберт (Noyce Robert Norton)

Нойс Роберт (Noyce Robert Norton — американский инженер, изобретатель (1959) интегральной схемы, системы взаимосвязанных транзисторов на единой кремниевой пластинке, основатель (1968, совместно с Г. Муром) корпорации Intel.

ВНИМАНИЕ! Работа на этой странице представлена для Вашего ознакомления в текстовом (сокращенном) виде. Для того, чтобы получить полностью оформленную работу в формате Word, со всеми сносками, таблицами, рисунками (вместо pic), графиками, приложениями, списком литературы и т.д., необходимо скачать работу.

Нойс Роберт (Noyce Robert Norton)


Нойс Роберт (Noyce Robert Norton) (12 декабря 1927, Берлингтон, шт. Айова - 3 июня
1990, Остин, шт. Техас), американский инженер, изобретатель (1959) интегральной
схемы, системы взаимосвязанных транзисторов на единой кремниевой пластинке,
основатель (1968, совместно с Г. Муром) корпорации Intel.


В 1949 году Нойс окончил
Гриннелл-колледж в Айове со степенью бакалавра, а в 1953 году стал доктором
философии Массачусетского технологического института. В 1956-57 годах работал в
полупроводниковой лаборатории изобретателя транзисторов Уильяма Шокли, а затем
вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых электронных фирм по
производству кремниевых полупроводников - Fairchild Semiconductor (Фэрчайлд
Семикондактор), которая дала название Силиконовой долине в Северной Калифорнии.
Одновременно, но независимо друг от друга Нойс и Килби изобрели интегральную
микросхему.


В 1968 году Нойс и его давний
коллега Гордон Мур основали корпорацию Intel. Спустя два года они создали
1103-ю запоминающую микросхему из кремния и поликремния, которая заменила собой
прежние малоэффективные керамические сердечники в запоминающих устройствах
компьютеров. В 1971 Intel представила микропроцессор, объединяющий в одной
микросхеме функции запоминающего устройства и процессора. Вскоре корпорация
Intel стала лидером по производству микропроцессоров. В 1988 году Нойс стал
президентом корпорации Sematech, исследовательского консорциума, совместно
финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития
передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.

Список литературы

Для подготовки данной
работы были использованы материалы с сайта http://www.infhist.h1.ru/



Скачиваний: 1
Просмотров: 0
Скачать реферат Заказать реферат