Конструирование микросхем

Основными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления.

ВНИМАНИЕ! Работа на этой странице представлена для Вашего ознакомления в текстовом (сокращенном) виде. Для того, чтобы получить полностью оформленную работу в формате Word, со всеми сносками, таблицами, рисунками (вместо pic), графиками, приложениями, списком литературы и т.д., необходимо скачать работу.

Конструирование микросхем и микропроцессоров

Задание на курсовое проектирование

В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).

Конструирование микросхем

Рис. 1. Схема электрическая принципиальная

Таблица 1. Номиналы элементов схемы:

Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал
R1 950 Ом R7 4,25 кОм R13 1 кОм R19 1 кОм
R2 14 кОм R8 12,5 кОм R14 3,5 кОм C1 3800 пФ
R3 45 кОм R9 500 Ом R15 10 кОм VT1-VT8 КТ 312
R4 35 кОм R10 3 кОм R16 3,5 кОм E 7,25 В
R5 12,5 кОм R11 10 кОм R17 2,5 кОм    
R6 950 Ом R12 500 Ом R18 1 кОм    


Скачиваний: 1
Просмотров: 1
Скачать реферат Заказать реферат